Системи За Съхранение

Samsung представи нов чип за съхранение за премиум смартфони

Computer World

Samsung стартира масово производство на 512GB флаш технология за съхранение, която осигурява скорост на запис три пъти по-голяма от предишната версия при повече от 1,2 GB/s и проправя пътя за задоволяване на изискванията към паметта на предстоящите флагмански смартфони на производителя.

512GM вградената универсална 3.1 флаш памет (eUFS), предназначена за премиум устройствата на южнокорейската компания, които ще бъдат пуснати по-късно през годината, предлага значително по-бърз пренос на данни, като отнема около половин минути за трансфера на 100 GB данни в сравнение с повече от четири минути при eUFS 3.0, се казва в съобщение на компанията.

Чеол Чой, EVP на продажбите и маркетинга на чипсети за съхранение, коментира, че с въвеждането на най-бързата мобилна технология за съхранение в индустрията потребителите на смартфони няма да трябва да се притесняват за проблемите, с които се сблъскват при конвенционалните карти.

Гамата eUFS също така се предлага в капацитети 256GB и 128GB.

Миналия месец Samsung обяви, че започва масово производство на това, което нарича "първия 16GB мобилен чипсет DRAM в индустрията, със скорост на предаване на данни от 5,5 Gb/s."




© Ай Си Ти Медиа ЕООД 1997-2020 съгласно Общи условия за ползване

X