Нови Технологии

Законът на Мур оживява и през 2018 г. със 7 -nm мобилни чипове

Владимир Владков

Как мобилните устройства да станат по-бързи, по-тънки и енергийно по-ефективни? Благодарение на бързия напредък при производството на чипове, което успява да „натъпче“ по-малки чипове с нови функции.

Следващата вълна от премиум смартфони в началото на следващата година ще разполагат с чипове като Qualcomm Snapdragon 835, направен по най-модерния 10-нанометров производствен процес.

Следвайки прочутия Закон на Мур, две години по-късно смартфоните би трябвало да получат още по-бързи и по-малки чипове, създадени по 7-нанометрова технология.

В понеделник ARM, чийто процесорни схеми се вграждат в повечето смартфони, обяви, че работи с известния производители TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.) за създаването на 7-nm чипове. ARM споделя интелектуалната собственост върху своя дизайн за 7-нанометрови схеми, давайки възможност за оборудване на производствените линии във фабриките на TSMC.

Производството на чипове по 7-nm технология се очаква да започне през 2018 г., заяви Рон Мур, маркетинг вицепрезидент на групата за физически дизайн на ARM.

В тестовите мостри на ARM 7-нанометровите чипове ще предоставят 15 до 20 на сто по-висока скорост в сравнение с чиповете, създадени от TSMC по 16-nm процес. Производителите на смартфони могат да преработят архитектурата и да осигурят на чиповете още по-голяма производителност.

Базираните на ARM чипове за сървъри и IoT устройства също ще бъдат създадени по 7-nm процес. Но само производителите на чипове, които ползват схемите на ARM, ще могат да предоставят метрики за подобренията на производителността на база на донастройките, добави Мур.

Приложения като виртуална реалност и машинно обучение изискват по-голяма изчислителна мощ от чиповете. Производствената интелектуална собственост на ARM, предоставена на TSMC, решава някои предизвикателства, свързани с паметта, разпределението на енергията и извличането на данни от паметта.

Много потребители например планират конфигурации с много графични чипове за сървъри в облака или за инфраструктури за машинно обучение. Интелектуалната собственост за чипа предоставя оптимизации за пътя на данните, така че данните могат да пътуват по-бързо в тези инфраструктури и при правилно ниво на енергийно потребление.

Много подобрения се очакват при ползване на 7-nm процес, включително EUV (екстремно ултравиолетово), което позволява ецване на по-фини детайли на чиповете. Чиповете, проектирани с интелектуалната собственост на ARM, няма да изискват от проектантите задълбочени познания за прилежащите производствени технологии, добавя Мур.

Кокурентът на TSMC Globalfoundries също преминава към 7-нанометров производствен процес, като продукцията може да започне през 2018 г. Samsung не говори публично за 7-nm планове. Intel каза, че има визия за 7-нанометрови чипове, което означава, че те са пътната карта на компанията, но не обявява кога технологията ще бъде внедрена.

Следващата стъпка след 7-nm е 5-nm процес, който ще бъде дискутиран на Международната среща за електронни устройства следващата седмица в Сан Франциско. Участниците в нея ще обсъждат и материали, заменящи силиция. Samsung ще дискутира предимствата на смесените германиево-силициеви полупроводници, а участниците ще разгледат и други екзотични материали.

Intel вече планира да ползва материали III-V, базиращи се на елементи от трета до пета колона в периодичната таблица като галиев арсенид. Галиевият арсенид има по-добра електропроводимост от силиция и могат да осигурят на чиповете по-голяма енергийна ефективност.

IDG News Service





© Ай Си Ти Медиа ЕООД 1997-2019 съгласно Общи условия за ползване

X