Нови Технологии

Micron и Nanya разработват 20 nm технология за чипове

Владимир Владков

Micron Technology и тайванският й партньор Nanya Technology проучват възможностите за нова 20-нанометрова производствена технология за бъдещите си DRAM продукти, заяви президентът на Nanya.
Усъвършенстваната технология за производство на чипове е важно за подобряване на производителността на чиповете, намаляване на енергийната консумация и намаляване на цените. Напредъкът на технологията ще бъде критичен за компаниите през следващите няколко години, за да останем конкурентоспособни в бизнеса с DRAM, казва Джи Лиен, президент на Nanya Technology.
Създаването на чипове с 20 nm технология би осигурило конкурентоспособност на Micron и Nanya спрямо индустриалния лидер Samsung Electronics, който вече инсталира 30nm технология в своите производствени линии. Samsung заяви, че чиповете 2Gb (gigabit) DDR3 (double data rate, third generation), произведени по 30nm технологичен процес, изразходват с 30% по-малко енергия от чиповете, направени с помощта на 50nm производствен процес, и могат да бъдат двойно по-ефективни в ценово отношение.


Samsung изпреварва своите съперници с 30nm технология за DRAM. Micron и Nanya наскоро обявиха, че инсталират 42nm технологичен процес за производство на DRAM и разполагат с „30-и-нещо" нанометрова технология в научно-развойния си център в Айдахо (компанията я нарича 3X nm). Лиен не обяви кога ще бъде готова 20 nm технология, която проучват в момента заедно с Micron.
Една от компаниите, в които Micron държи дял - IM Flash Technologies, която е съвместно дружество с Intel, вече използва 25nm технология за създаване на чипове флаш памет. Тя обаче не произвежда DRAM чипове.
IDG News Service, Тайпе




© Ай Си Ти Медиа ЕООД 1997-2019 съгласно Общи условия за ползване

X