Компютърен Хардуер

Intel и Micron въвеждат 20nm технология при NAND флаш паметите

Computer World

Intel Corporation и Micron Technology представиха нов, по-фин 20 nm технологичен процес за производство на NAND флаш памети. По новия 20nm процес се произвежда multi-level cell (MLC) NAND флаш устройство с капацитет от 8 GB, което осигурява по-голям капацитет в малък формат за съхранение на музика, видео, книги и друга информация върху смартфони, таблети и компютърни решения.

Нарастването на обема за съхранението на данни, в комбинация с подобренията на характеристиките за таблети и смартфони, създава ново търсене за NAND флаш технолоията, особено за решения с по-голям капацитет в по-малък формат, твърдят от двете компании. Размерите на новото 20nm устройство с капацитет то 8GB са само 118 mm2, което води до намаляване на пространството, което заемат с от 30% до 40% (в зависимост от вида на пакета), в сравнение с настоящите 25nm 8GB NAND устройства на компанията. Намаляването на пространството за съхранение на данни върху флаш устройството осигурява по-високо ниво на ефективност на системата, като позволява на производителите на таблети и смартфони да използват допълнителното пространство за усъвършенстване на крайните продукти с например по-голяма батерия, по-широк екран, или добавяне на друг чип, който да оперира с нови характеристики.

 


Intel и Micron въвеждат 20nm технология при NAND флаш паметите

© Computer World, Computerworld.bg

 

 

 Произведено от IM Flash Technologies (IMFT), съвместното дружество за NAND флаш на Intel и Micron, новото 20nm NAND флаш устройство с капацитет 8GB е пробив в NAND производството и технологичния дизайн, подчертават от двете компании. Намаляването на размера на NAND литографията до този технологичен пункт е най-ценовоефективния метод за увеличаване на продукцията на фабриката, като осигурява приблизително 50% повече GB капацитет от тези фабрики, в сравнение с работата по настоящата технология. Новият 20nm процес поддържа сходна производителност и издръжливост като при предишното поколение, произведено по25nm NAND технология.   

Мостри на устройството по 20nm, 8GB се изпращат сега на клиенти, като се очаква да влезе в масово производство през втората половина на 2011 г. По същото време Intel и Micron очакват да обявят мостра на устройство с 16GB капацитет.

 





© Ай Си Ти Медиа ЕООД 1997-2019 съгласно Общи условия за ползване

X