Този сайт използва бисквитки (cookies). Ако желаете можете да научите повече тук. Разбрах
IDG  •  PC World  •  Computerworld  •  CIO  •  CFO  •  Networkworld  •  Дискусии  •  Кариерна зона  •  Събития
COMPUTERWORLD | PC компоненти
28 авг
2014
 
 

Samsung започна да произвежда модули 3D DDR4 DRAM

Samsung каза, че ще се фокусира първо върху корпоративните сървъри

5986 прочитания, 18 коментара

Samsung е започнала да произвежда 64GB DRAM модули за сървъри, базирани на новата памет DDR4 (double-data rate 4), ползваща 3D технология за пакетиране „through silicon via" (TSV).

Капацитетът от 64GB е най-големият при DRAM паметите в момента, като той може да подобри производителността на приложенията, тъй като данните ще бъдат държани по-дълго в паметта и не се налага да бъдат обменяни толкова често между DRAM и други компоненти като дисковата система за съхранение например.

Чиповете памет в момента се монтират хоризонтално върху DIMM платките. Но чиповете стават все по-малки, така че тяхното групиране вертикално е възможност за по-добро използване на пространството, налично в DIMM модулите. Именно този подход е избрала Samsung.

DDR4 постепенно започват да заменят съществуващите DDR3 DRAM първо в сървърите и геймърските компютри, вероятно още от следващото тримесечие. DDR4 ще предоставя 50% повече пропусквателна способност на паметта и 35% повече пестене на енергия в сравнение с DDR3. Intel ще пусне съвместим с DDR4 чип, наречен Grantley, в началото на септември, като той ще се ползва в сървъри на Lenovo и Dell.

Приложения, ползвани в центрове за данни, ще се възползват частично от новата памет на Samsung, каза Натан Брукууд, главен анализатор в Insight 64. Приложенията за бази данни и анализи, включително такива на Oracle и SAP, пазят данните в паметта, за да ускорят работата на приложенията.

„Става все по-трудно да се увеличава плътността на DRAM чиповете. Групирането им е добър начин за ползване на съществуващата технология за DRAM чипове и създаването на два пъти повече битове в пакета“, добавя Брукууд.

Чиповете памет в групата са свързвани през конектор, наречен TSV, който се появи като пропусквателен механизъм за новите технологии за памети. TSV вече се употребява в зараждащата се технология HMC (Hybrid Memory Cube) на Micron, ще бъде ползвана и от Nvidia в нейните графични чипове от следващата година.

Чиповете памет на Samsung са направени по модерния 20-нанометров производствен процес. Производители на памет като Crucial и Adata също доставят DDR4 DIMM, но с по-малък капацитет.

IDG News Service, Ню Йорк

НАЙ-НОВИ НАЙ-ЧЕТЕНИ ПРЕПОРЪЧАНИ
ТОП100 НА ТЕХНОЛОГИЧНИТЕ КОМПАНИИ

Фирмите представят
Успешни внедрявания в малки и средни компании

Успешни внедрявания в малки и средни компании

Практически опит от ERP проекта в „ЕрДжи Консулт“ ЕООД

Слайдшоу
ИНТЕРВЮ
Тод Англин, Progress:  София има страхотна общност от софтуерни разработчициТод Англин, Progress: София има страхотна общност от софтуерни разработчици

Конференцията DevReach се завръща в София, има месец до събитието, а всички билети вече са разпродадени, коментира главният евангелист на Progress.

ПРИЛОЖЕНИЯ
АНКЕТА

Какво мислите за FireFox OS?

Информация за Вас